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第一千九百一十三章 想出口恶气(1 / 3)

“这是个非常精辟的观点。”周至点头表示理解:“但是从位升级到块,就不可避免地会发生一个问题。”

“每一个集成电路上的存储栅格,其擦写寿命是有次数上限的,以前是按位擦写,写坏了一个,就跳到另一个去继续,这样对于芯片的存储空间来说,坏一个跳过一个,没有什么大问题。”

“现在从位读写变成了块读写,问题就变成了坏一个栅格,一个数据块不能用,对于闪存的寿命质量要求来说,这样的浪费就太大了。”

“的确是有这个问题。”舛冈富士雄皱眉道:“但是我们也提出了解决的办法,那就是对区块的使用尽量平均,用随机的算法去访问下一个可供读写的数据块,避免对同一数据块的过度重复使用,这样可以解决一大部分的问题。”

“的确,从我们四叶草对东芝NAND闪存的分析中,我们也发现了舛冈先生发明的这个算法,相当的聪明和折中。”周至笑道:“但是舛冈先生不能不承认,这只是一个治标不治本的方案,依然会发生坏一个点,一个块不能使用的情况,不是终极的解决办法。”

“对不起周桑,给您添麻烦了!”周至指出的问题,的确是舛冈团队在一代NAND闪存中没能够解决的问题:“周桑说的这些问题的确存在,我们本来准备改进的,不过现在……”

“不过现在连NAND团队都没了是吧?”松井造说道。

“这个……基础保障还是有的……”舛冈富士雄的脸上露出一些窘迫:“据我所知,东芝还是准备用DRAM的利益反哺一些给NAND,保住给四叶草供片的能力的……”

不过这话里自己都透露着相当的不自信。

“如果有资金,有团队,舛冈先生准备怎么解决这个问题?”周至问道:“我问的是思路。”

“思路倒是有好几条。”舛冈说道:“首先就是增加栅格的面积,减少电荷的翻转和飘移,让数据存储更加精准的同时,也能够减少无效擦写次数,提升闪存寿命。”

“这就要降低芯片最重要的容积性能了,这和舛冈先生‘化位为块’增加容积性能的思路本身是背道而驰的。”周至摇头道:“这么一来,芯片的性能没有提升太多,而先前的优势反而没有了。”

“还有就是修改块存储的算法了,将数据块变小一点。”

“数据块变小一半,寻址区增加一倍?”周至问道。

舛冈富士雄也轻轻摇了摇头,这个同样会损失巨大的存储空间来存放

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