完全搁置下所有魔造理论的思考，偶尔登录魔网也只是处理生意方面的事情，可是现在，当他为了自己的宝贝女儿，仔细考量这篇回复时，他却惊讶地发现，直到目前为止，自己甚至找不到任何自相矛盾的地方，找不出半点可供反驳之处！
这篇回复就像一眼不含任何杂质的井水，清澈通透，却又深不见底！
………
“’反接双结字符组合’，便是将两枚’结’字符首首相连或者尾尾相连。
“将’键穴结’的思想推广到’反接双结字符组合’上面，组合形式便成为’多键-多穴-多键’，或者’多穴-多键-多穴’这两种结构形式。
“以’多键-多穴-多键’结构为例，想象’多穴晶体’的厚度比’多键晶体’薄上很多，而且’多穴晶体’的热掺杂率远远小于’多键晶体’。
“为了表述方便，可以把该结构竖直起来，按照元流传输方向，从上到下将三段晶体分别称为’集键区’、’基区’、’发射区’。
“’集键区’与’基区’之间是第一个’键穴结’，可称为’上方结’；’基区’与’发射区’之间是第二个’键穴结’，可称为’下方结’。
“在’基区’与’发射区’之间外接正向元压Va，构成第一个回路，其中元流记为Ia；在’集键区’与’发射区’之间外接正向元压Vb，构成第二个回路，其中元流记为Ib，该回路总元压为Vc，并且串联一个’阻’字符，起到分压作用；再将这两个回路于’发射区’后端媾合，共地相连，则’发射区’后端的元流为Ia与Ib的和。
“这种使用形式在’反接双结字符组合’中极为常见，可以叫做’共发射区回路模式’，图示如下…
“’反接双结字符组合’的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia对于元流Ib的放大作用，我们可以简要分析一下：
“调整回路，使得元压Vc大于元压Vb大于元压Va，且元压Vb与元压Vc的差值大于’上方结’的反向偏置元压，则’上方结’呈反向导通状态，’下方结’呈正向导通状态。
“前面说过，’基区’很薄且热掺杂率很小，则’下方结’中形成键子多而空穴少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入’基区’，只有很小一部分填补进空穴；
“而’上方结’由于是反向导通状态，与’下方结’的元流方向相同，所以两个’键穴结’中的键子迁移方向也相同，在适